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TGAN60N65F2DS TRANSISTOR IGBT+DIODO
TGAN60N65F2DS TRANSISTOR IGBT+DIODO
S/ 18.00
CARACTERISITCAS:
- Tensión máxima colector-emisor ((Vce): 650 V
- Corriente continua de colector (Ic): 120 A (a 25°C)
- Voltaje de saturación (\(VCEsat): Típico de 1.85 V (a 25°C)
- Máxima disipación de potencia (Pc): 428 W
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175°C
- Encapsulado: TO-3PN
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