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TGAN60N65F2DS TRANSISTOR IGBT+DIODO

TGAN60N65F2DS TRANSISTOR IGBT+DIODO

S/ 18.00

CARACTERISITCAS:

  • Tensión máxima colector-emisor ((Vce): 650 V
  • Corriente continua de colector (Ic): 120 A (a 25°C)
  • Voltaje de saturación (\(VCEsat): Típico de 1.85 V (a 25°C)
  • Máxima disipación de potencia (Pc): 428 W
  • Temperatura máxima de unión (Tj): 175°C
  • Encapsulado: TO-3PN

S/ 18.00

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Código: TGAN60N65F2DS Categorías:
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