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IRFP450 Transistor MOSFET
IRFP450 Transistor MOSFET
S/ 7.00
CARACTERISTICAS:
- Polaridad: Canal N.
- Voltaje máximo entre drenaje y fuente (VDS): 500 V.
- Corriente continua de drenaje (ID): 14 A.
- Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W.
- Resistencia de encendido (RDS(on)): 0.4 ohms. Esta resistencia es la oposición al paso de corriente. Un valor bajo significa que el transistor se mantiene frío y ahorra energía.
- Encapsulado: TO-247. Es la cubierta de plástico y metal que protege el chip
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Detalles del producto
CARACTERISTICAS:
- Polaridad: Canal N.
- Voltaje máximo entre drenaje y fuente (VDS): 500 V.
- Corriente continua de drenaje (ID): 14 A.
- Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W.
- Resistencia de encendido (RDS(on)): 0.4 ohms. Esta resistencia es la oposición al paso de corriente. Un valor bajo significa que el transistor se mantiene frío y ahorra energía.
- Encapsulado: TO-247. Es la cubierta de plástico y metal que protege el chip
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