CARACTERÍSTICAS:

• Polaridad del transistor: NPN
• Tensión colector emisor V (br) ceo: 100 V
• Frecuencia de transición ft: 3 MHz
• Disipación de potencia Pd : 40 W
• Corriente de colector DC: 3 A
• Ganancia de corriente DC hFE: 10 hFE
• Temperatura de operación mínima: 65 C°
• Temperatura de operación máxima: 150 C°