932339724 – 935513938
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | IGBT NPT |
| VCE máx. | 1200 V |
| IC continuo | 64 A @ 25 °C |
| IC @ 100 °C | 40 A |
| Corriente pulsada | 160 A |
| VGE máx. | ±25 V |
| VCE(sat) típico | 2.6 V @ 40 A, VGE=15 V |
| Potencia máxima | 500 W @ 25 °C |
| Temperatura de unión | −55 a +150 °C |
| Encapsulado | TO-264 |
| Diodo interno | FRD antiparalelo |
| Tiempo de recuperación del diodo | 75 ns típico |
| Carga de compuerta | 330 nC máx. |
| Resistencia térmica RθJC | 0.25 °C/W |