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FGH60N60SMD Transistor IGBT 600V-60A
FGH60N60SMD Transistor IGBT 600V-60A
S/ 13.00
CARACTERISTICAS
- Tipo: IGBT de N-Canal.
- Voltaje (VCEO): 600V.
- Corriente Continua (Ic): 60A (a 100°C) / 120A (pico).
- Voltaje de Saturación (VCE(sat)): 1.9V (bajo).
- Disipación de Potencia (Pd): 600W.
- Tecnología: Field Stop de segunda generación, SuperMESH™.
- Encapsulado: TO-247AB (3 pines).
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Detalles del producto
El FGH60N60SMD es un Transistor IGBT de alta eficiencia de 600V/60A.
- Tipo: IGBT de N-Canal.
- Voltaje (VCEO): 600V.
- Corriente Continua (Ic): 60A (a 100°C) / 120A (pico).
- Voltaje de Saturación (VCE(sat)): 1.9V (bajo).
- Disipación de Potencia (Pd): 600W.
- Tecnología: Field Stop de segunda generación, SuperMESH™.
- Encapsulado: TO-247AB (3 pines).
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